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2N7002,215(安世)沟槽MOSFET_中文参数_优势应用

2N7002,215(安世)沟槽MOSFET_中文参数_优势应用

2024-05-16 15:25:22      点击量: 3

  2N7002,215是Nexperia(安世)推出的一款塑料封装N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术。本文将介绍2N7002,215的特性和优势,并探讨其在逻辑电平转换器和高速线路驱动器中的应用。

2N7002,215(安世)沟槽MOSFET_中文参数_优势应用

  中文参数

  ·品牌:Nexperia

  ·型号:2N7002,215

  ·封装:SOT-23-3

  ·产品种类:MOSFET

  ·RoHS:是

  ·安装风格:SMD/SMT

  ·晶体管极性:N-Channel

  ·通道数量:1 Channel

  ·Vds-漏源极击穿电压:60 V

  ·Id-连续漏极电流:300 mA

  ·Rds On-漏源导通电阻:5 Ohms

  ·Vgs-栅极-源极电压:-30 V到+30 V

  ·Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

  ·最小工作温度:-65°C

  ·最大工作温度:+150°C

  ·Pd-功率耗散:830 mW

  ·通道模式:Enhancement

  ·零件号别名:8 mg



  特性和优势

  ·逻辑电平栅极驱动源:2N7002,215适用于逻辑电平栅极驱动源,可与逻辑电路兼容,实现电平转换和信号调节。

  ·开关速度极快:采用沟槽MOSFET技术,2N7002,215具有极快的开关速度,可实现高效的信号切换和电路控制。

  ·表面安装封装:2N7002,215采用表面安装封装,体积小巧、安装方便,适用于紧凑型电路设计和高密度电路板布局。



  应用

  ·逻辑电平转换器:2N7002,215适用于逻辑电平转换器,可将不同逻辑电平之间的信号进行转换和调节,实现电子设备的兼容性和互通。

  ·高速线路驱动器:在高速线路驱动器中,2N7002,215可用作信号开关和电路控制器,实现高速数据传输和处理,提高系统性能和稳定性。



  结论

  2N7002,215是一款性能稳定、应用广泛的沟槽MOSFET产品,具有快速的开关速度和逻辑电平驱动特性。作为Nexperia推出的产品,2N7002,215在逻辑电平转换器和高速线路驱动器等领域具有重要的应用价值,为电子设备的性能提升和创新提供了可靠的解决方案。
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