STMicroelectronics近日宣布推出其第四代STPOWER硅碳化物（SiC）MOSFET技术，旨在优化电动车（EV）动力系统中的牵引逆变器。这一技术在功率效率、功率密度和稳定性方面设立了新的行业标杆。ST计划在2025年前，逐步提高750V和1200V等级的产品产量，确保硅碳化物技术的优势不仅限于高端车型，还能惠及中型和紧凑型电动车。　　技术优势　　ST的第四代SiC MOSFET技术专注于提升电动车牵引逆变器平台的整体性能。新一代SiC设备的推出将显著改善400V和800V电动车牵引逆变器的能效，支持电动车在市场上的广泛应用。随着电动车市场的持续扩张，ST致力于帮助制造商应对提供更经济电动车的挑战。　　ST总裁Marco Cassis表示：“STMicroelectronics致力于推动电动出行和工业效率的未来。通过我们的先进硅碳化物技术，我们继续在器件、先进封装和电源模块上进行创新。通过垂直整合制造策略，我们提供行业领先的SiC技术性能，以满足客户日益增长的需求，并推动可持续发展。”　　主要特点特性描述通道配置4通道线性ReDriverCTLE增益补偿高达9.6dB @ 20Gbps支持电压等级750V和1200V超低延迟<300ps单电源供电1.8V ± 5%工业温度范围-40°C至 +85°C符合RoHS标准是　　应用领域　　电动车牵引逆变器：提升电动车的能效和续航能力。　　工业电机驱动：优化电机控制，降低能耗和运营成本。　　可再生能源：提高太阳能逆变器和储能系统的效率。　　数据中心电源单元：提供满足AI等高功率需求的高效电源解决方案。　　未来发展　　ST计划在未来三年内并行开发多项SiC技术创新，进一步推动功率器件技术的发展。第五代SiC功率器件将采用基于平面结构的创新高功率密度技术，并承诺在高温下实现卓越的导通电阻（RDS(on)）表现。　　STMicroelectronics的第四代SiC MOSFET代表了功率转换技术的一次重大飞跃，为未来电动车牵引逆变器提供了卓越的性能和稳健性。作为SiC技术的行业领导者，ST已为全球超过五百万辆乘用车提供STPOWER SiC设备，显著提升了新能源车的性能、效率和续航能力。随着2026年即将投产的全垂直集成SiC基板制造设施，ST正快速推动市场向电动出行和更高效的工业应用转型。

　　1N5819HW-7-F是Diodes的一款高效能的肖特基二极管，适合用于各种整流应用，尤其是在要求高温稳定性和低功耗的场合。其设计与性能特性使其在现代电子设备中成为理想选择。对于寻求高效率和可靠性的应用场景，1N5819HW-7-F将是一个值得信赖的解决方案。1N5819HW-7-F-丝印信息　　中文技术参数参数值正向电流 (If)1 A重复反向电压 (Vrrm)40 V正向电压 (Vf)0.45 V正向浪涌电流 (Ifsm)25 A配置单极 (Single)反向电流 (Ir)1000 µA最小工作温度-65 °C最大工作温度+125 °C封装尺寸SOD-123高度1.25 mm长度2.85 mm宽度1.7 mm功率耗散 (Pd)450 mW单位重量30 mg　　产品特性与优势　　高浪涌能力：该器件具有出色的浪涌承受能力，确保在瞬态条件下能够稳定运行。　　低功率损耗：由于其低正向电压降，功率损耗显著降低，从而提升整体工作效率。　　高电流能力：能够承受高达1A的正向电流，适合多种高负载应用。　　保护环芯片结构：设计中集成的保护环有效应对瞬态电压变化，增强了器件的可靠性。　　环保设计：产品完全无铅，并符合RoHS标准，确保环境友好性，不含卤素和锑。　　应用领域　　低电压高频逆变器：在低电压、高频环境下进行高效整流。　　自由轮流：广泛应用于电机驱动和电力电子设备中，提供必要的自由轮流功能。　　极性保护：用于电源的极性保护，避免因错误接入造成的设备损坏。　　机械数据　　外壳:SOD-123　　塑料材料:模压塑料，UL阻燃分类等级94V-0　　湿度敏感性:J-STD-020级别1　　极性:阴极带　　引脚:镀锡表面，符合MIL-STD-202,方法208　　重量:0.01克（约）1N5819HW-7-F-封装尺寸