欢迎来到安玛芯城!
立即登录
免费注册
会员中心
我的订单
+86 18128802849
产品分类icon 产品分类
首页
每周特价 每周特价icon
热门产品 热门产品icon
推荐品牌
国产替代
关于我们
商城资讯
资讯百科
英飞凌斩获2025年德国可持续发展奖,引领行业绿色革新
英飞凌斩获2025年德国可持续发展奖,引领行业绿色革新
  2024年11月29日,英飞凌在“电气工程与电子”类别中荣获2025年德国可持续发展奖,这一殊荣标志着其在推动全球可持续发展方面的卓越贡献和技术领导力。  行业标杆,引领绿色转型  在当日的颁奖典礼上,英飞凌被评审团誉为行业的“灯塔”,不仅因其技术创新实力,更因其在可持续发展领域的模范作用。英飞凌通过不断探索和实践,正引领整个行业向更加绿色、智能的未来迈进。  高层承诺,共筑可持续未来  英飞凌管理委员会成员兼首席数字与可持续发展官Elke Reichart在颁奖典礼上重申了英飞凌通过去碳化和数字化推动可持续发展的坚定承诺,并表示公司将携手员工、客户及合作伙伴共同实现这一宏伟目标。  可持续发展战略显成效  英飞凌致力于到2030年实现气候中立。自2020年以来,公司的碳排放量已减少超过三分之二,而收入几乎翻倍。此外,英飞凌成为行业内首个公开单个产品碳足迹(PCF)的企业,目前半数产品已实现PCF数据透明化,增强了客户信任并树立了行业新标准。  技术创新,助力节能减排  英飞凌的半导体技术在提升能源效率方面发挥着关键作用。其最新推出的节能型碳化硅(SiC)模块被提名参加2024年德国未来奖,该模块显著提高了太阳能和风能发电厂、火车驱动等高性能电气应用的能源效率。实际应用显示,配备新驱动系统的电力机车每年可节省约300兆瓦时电力,相当于100个家庭一年的能源需求。  英飞凌凭借其在技术创新和可持续发展方面的努力,赢得了这一重要奖项。这不仅是对过去的肯定,也是对未来的期许。英飞凌将继续在全球范围内推动去碳化和数字化,为实现更加可持续的未来贡献力量。  关于英飞凌  英飞凌(Infineon)作为全球领先的半导体制造商之一,提供了众多高性能的电子元器件。以下是一些在市场上广受欢迎且应用广泛的英飞凌系列产品:  XMC系列微控制器:XMC系列微控制器以其高性能、低功耗和丰富的外设接口而闻名,广泛应用于工业自动化、消费电子和医疗设备等领域。例如,XMC4300系列结合了高性能的ARM Cortex-M4内核和多种通信接口,非常适合需要复杂控制逻辑的应用。  AURIX系列单片机:AURIX系列单片机专为满足汽车行业的高安全性和高可靠性要求而设计。它采用了TriCore架构,集成了多个处理核心和丰富的安全功能,广泛应用于自动驾驶、动力系统和车载娱乐系统等。  CoolMOS系列功率半导体:CoolMOS系列功率半导体以其高效的能效和卓越的热性能而受到青睐,常用于电源管理、电机控制和LED照明等领域。例如,CoolMOS P7系列提供了极低的导通电阻和快速的开关速度,非常适合高效率电源设计。  HybridPACK系列功率模块:HybridPACK系列功率模块集成了多个功率半导体器件和驱动电路,简化了电源模块的设计和制造过程。它广泛应用于电动汽车、可再生能源和工业电源系统等领域。  OptiMOS系列功率MOSFET:OptiMOS系列功率MOSFET以其优异的导通电阻和开关性能而著称,适用于各种高功率应用场景,如服务器电源、通信基站和工业自动化设备等。
行业新闻
2024-12-02 11:08:50
润石RSA4080系列高压集成电流检测芯片
润石RSA4080系列高压集成电流检测芯片
  润石科技的RSA4080系列是一款支持高工作电压、宽共模输入电压范围的集成电流检测芯片,工作电压支持5.0V至100V,共模输入电压范围亦支持5.0V至100V;可以很好应对24V、48V母线电压系统的电流采集应用。  RSA4080系列提供20、50、60、100四种固定增益,增益误差低至0.5%,以使其能满足更多的应用场景和电流采集精度。与RSA4081相比,区别仅仅在于没有基准电压输入脚,其他主要参数特性如下:  Ø增益带宽(GBP):180KHz;  Ø低输入失调电压(Vos):100μV;  Ø低输入偏置电流(IB):4μA;  Ø低功耗(Iq):150μA(Full Tem.MAX);  Ø高电源纹波抑制比(PSRR):135dB  Ø高共模抑制比(CMRR):140dB  Ø容性负载能力;500pF  Ø扩展级工业温度范围:-40°C~125°C。  RSA4080典型应用电路  RSA4080封装和管脚定义  润石科技集成电流检测产品家族注:RSA4080无外部基准电压输入,RSA4081提供外部基准电压输入功能。  RSA4080提供SOP8标准封装,欢迎各界工程师朋友找安玛科技索样评测。更多国产替代芯片请咨询安玛科技官方客服获取!!
行业新闻
2024-11-18 10:27:27
意法半导体推出STGAP3S高级隔离栅极驱动器,增强IGBT和碳化硅MOSFET保护功能
意法半导体推出STGAP3S高级隔离栅极驱动器,增强IGBT和碳化硅MOSFET保护功能
  意法半导体(STMicroelectronics)近期推出了STGAP3S高级隔离栅极驱动器,专为硅基碳化物(SiC)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率开关设计。这款驱动器集成了最新的强固型电隔离技术,优化了脱饱和保护,并采用了灵活的米勒钳位架构,适用于多种工业和能源应用。   STGAP3S的主要特点   高级电隔离技术   加强型电容隔离:STGAP3S在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用了加强型电容隔离技术,能够承受9.6kV瞬态隔离电压(VIOTM),并具有200V/ns共模瞬变抗扰度(CMTI)。   可靠性提升:先进的隔离技术显著提高了工业应用中电机驱动系统的可靠性,如空调、工厂自动化和家用电器等。   灵活的保护功能   脱饱和保护:STGAP3S内置脱饱和保护功能,能够对外部功率开关进行过载和短路保护。通过外部电阻调整关断策略,可以在最大化保护关断速度的同时避免过度的过电压尖峰。   欠压锁定保护:欠压锁定保护功能防止在驱动电压不足的情况下开启设备,确保系统的安全运行。   米勒钳位架构   预驱动功能:集成的米勒钳位架构为外部N沟道MOSFET提供了预驱动功能,设计者可以根据需要选择适当的介入速度,防止感应导通并避免交叉传导。   多种版本选择   电流能力:STGAP3S提供10A和6A两种电流能力版本,每种版本均提供不同的欠压锁定(UVLO)和脱饱和干预阈值选项,以适应不同的SiC MOSFET或IGBT功率开关。   优化保护:脱饱和检测和UVLO阈值已针对IGBT或SiC技术进行了优化,确保最佳的保护效果。   故障诊断   开漏诊断引脚:脱饱和、UVLO和过温保护的故障条件通过两个专用的开漏诊断引脚进行通知,方便用户及时发现和处理故障。   应用领域   STGAP3S广泛应用于以下领域:   工业应用:空调、工厂自动化、家用电器等。   能源应用:充电站、储能系统、功率因数校正(PFC)、直流-直流转换器和太阳能逆变器等。   意法半导体的STGAP3S高级隔离栅极驱动器凭借其先进的电隔离技术和灵活的保护功能,为工业和能源应用提供了可靠的解决方案。无论是在电机驱动系统中还是在电力和能源管理中,STGAP3S都能确保系统的高效、安全和稳定运行。
行业新闻
2024-11-08 11:10:17
Vishay发布新款1 A和2 A第七代1200 V FRED Pt®Hyperfast整流器
Vishay发布新款1 A和2 A第七代1200 V FRED Pt®Hyperfast整流器
  近日,Vishay扩展了其第七代1200 V FRED Pt®Hyperfast整流器平台,推出了四款新的汽车级产品,采用eSMP®系列SMF(DO-219AB)封装。这些1 A和2 A整流器专为工业和汽车应用而设计,不仅在同类产品中提供了最佳的反向恢复电荷(Qrr)和正向电压降之间的平衡,还具有最低的结电容和恢复时间。  新发布的Vishay Semiconductors整流器包括VS-E7FX0112-M3和VS-E7FX0212-M3,以及通过AEC-Q101认证的VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3。为了减少开关损耗并提高效率,这些设备结合了最快45纳秒的恢复时间和典型值仅为105纳库仑的Qrr,正向电压降低至1.45 V,结电容低至3.0皮法。这些坚固的整流器在紧凑的封装中提供高达21 A的非重复峰值浪涌电流,封装尺寸为4.2 mm x 1.4 mm,高度仅为1.08 mm,爬电距离最小为2.2 mm。  这些整流器可作为箝位、缓冲和续流二极管,适用于反激式辅助电源和高频整流器,实现自举驱动功能,同时为最新快速开关IGBT和高压Si/SiC MOSFET提供饱和保护。VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3和VS-E7FX0212HM3的典型应用场景包括工业驱动和工具、电动汽车(EV)的车载充电器和电机、能源生成和存储系统,以及Ćuk转换器和工业LED SEPIC电路。  这些整流器采用了平面结构和铂掺杂寿命控制技术,确保系统可靠性和鲁棒性,同时不牺牲性能。优化的储存电荷和低恢复电流有助于最大限度地减少开关损耗并降低功耗。这些设备符合RoHS标准,无卤素,符合J-STD-020规定的湿度敏感度等级1,并支持高达+175°C的高温操作。  设备规格表:型号VS-E7FX0112-M3VS-E7FX0112HM3VS-E7FX0212-M3VS-E7FX0212HM3IF(AV)1 A1 A2 A2 AVR1200 V1200 V1200 V1200 VVF at IF1.45 V1.45 V1.60 V1.60 Vtrr50 ns50 ns45 ns45 nsQrr105 nC105 nC165 nC165 nCCT3.0 pF3.0 pF3.5 pF3.5 pFIFSM14 A14 A21 A21 A封装SMF (DO-219AB)SMF (DO-219AB)SMF (DO-219AB)SMF (DO-219AB)AEC-Q101否是否是  这些新型整流器凭借其卓越的性能和可靠性,将成为工业和汽车应用中的理想选择。  如需大批量订货可咨询安玛科技有限公司,十多年行业经验,海量现货库存,支出订货备货服务!
行业新闻
2024-11-08 10:27:18
逆变器中场效应管发热的原因及常见问题注意事项
逆变器中场效应管发热的原因及常见问题注意事项
  逆变器中场效应管发热的原因  逆变器中场效应管发热的原因主要包括以下几点:  导通电阻发热:当场效应管处于导通状态时,电流通过其内部导体会产生电阻,根据欧姆定律,这部分电阻会转化成热量,这是场效应管发热的一个重要原因。  开关频率发热:逆变器利用高频开关来控制电路操作。在这个过程中,场效应管需要快速切换导通和截止状态。每次切换都伴随着一段时间内的高功耗,这也会导致发热现象。  负载电流过大发热:逆变器负责驱动多种负载,如电机、灯具等。如果输出电流超出正常范围,场效应管就需要处理更大的电流,从而产生更多热量。  总功耗过大发热:逆变器运行时,除了向负载供电外,自身也会消耗能量,这部分能量损失主要表现为开关损耗和导通损耗,最终转化为热量。  热阻不良导致发热:场效应管工作时会产生功率损耗,这些损耗产生的热量需要通过散热器等装置排出。如果散热设计不合理或安装不当,会影响散热效率,使场效应管温度升高。  工作环境温度过高导致发热:场效应管工作时本就会产生热量,若周围环境温度较高且缺乏有效的散热措施,场效应管的温度将进一步上升,影响其性能和寿命。  为了确保逆变器高效稳定地运行,合理的设计散热系统是非常必要的。通过提高散热效果,可以有效地降低场效应管的工作温度,减少因过热引发的各种问题。  逆变器中常见的问题及注意事项  输入电压不稳定:逆变器的输入电压波动可能会导致输出电压不稳定,影响设备的正常运行。建议使用稳压器或选择具有宽输入电压范围的逆变器。  过载保护不足:长时间超负荷运行可能导致逆变器损坏。选择逆变器时应考虑适当的余量,并确保逆变器具有过载保护功能。  电磁干扰:逆变器工作时可能会产生电磁干扰,影响其他电子设备的正常工作。可以通过屏蔽和滤波措施减少干扰。  散热不良:逆变器在工作过程中会产生大量热量,如果散热不良会导致温度过高,影响逆变器的性能和寿命。确保逆变器有足够的散热空间和良好的通风条件。  启动冲击电流:某些负载(如电动机)在启动时会产生较大的冲击电流,可能导致逆变器保护动作或损坏。选择具有软启动功能的逆变器可以有效缓解这一问题。  维护不当:定期检查和维护逆变器可以及时发现并解决潜在问题,延长逆变器的使用寿命。建议按照制造商的指南进行定期维护。  通过注意这些问题并采取相应的预防措施,可以确保逆变器的安全、可靠和高效运行
电子百科
2024-11-07 11:09:19
热门文章
安玛芯城只做现货原装正品的公告
安玛芯城正式上线公测,欢迎莅临选购
安玛科技获江苏润石(Runic)正式合格经销商授权
手机卡跟芯片是同个东西吗,IC现货小编为大家详解
IC芯片制造中会用到哪些金属,来听IC现货小编怎么说
STM32系列单片机命名规则解析
IC芯片和处理器有哪些区别呢?IC芯片是处理器吗?
IC采购必备:IC产品等级行业标准概述
春节放假通知
电子元器件采购bom配单有哪些流程和步骤?
每周特价
更多特价产品>>
国产替代件查询入口
免费申请样品入口
购物车
会员中心
返回顶部