MJD122T4G 晶体管作为一种半导体器件,主要应用于通用放大器和低速开关领域。其功能是实现电流的放大与开关控制。该晶体管的工作原理基于半导体材料的特性,通过控制基极电流,调节集电极和发射极之间的电流。
MJD122T4G特点:
- 引线成型,适用于塑料套管中的表面贴装应用。
- 可作为 2N6040-2N6045 系列、TIP120-TIP122 系列以及 TIP125-TIP127 系列的表面贴装替代品。
- 采用单片结构,内置基极发射器分流电阻器。
- 具有高直流电流增益:hFE = 2500(典型值)@ IC = 4.0 Adc。
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 @ 0.125 英寸标准。
- ESD 额定值:
- 人体模型,3B > 8000 V。
- 机器模型,C > 400 V。
- 器件前缀为 NJV,适用于汽车和其他有特殊现场和控制变更要求的领域;通过 AEC-Q101 认证,可执行 PPAP。
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 规范。
在实际应用中,MJD122T4G 晶体管广泛应用于各类电子设备。例如,在手机、电脑及其他电子产品中,可用于电源管理、信号放大和逻辑控制等方面。此外,在工业控制系统、汽车电子和通信设备中也起着关键作用。
MJD122T4G中文资料
品牌 | onsemi安森美 |
封装 | TO-252-3 (DPAK) |
批号 | 23+ |
制造商 | onsemi |
产品种类 | 达林顿晶体管 |
RoHS | 是 |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
集电极—基极电压 VCBO | 100 V |
最大直流电集电极电流 | 8 A |
最大集电极截止电流 | 10 uA |
Pd-功率耗散 | 20 W |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
最小工作温度 | - 65 C |
最大工作温度 | + 150 C |
系列 | MJD122 |
集电极连续电流 | 8 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 100, 1000 |
高度 | 2.38 mm |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 500 mg |
型号 | MJD122T4G |