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MJD122T4G 三极管 ON/安森美 中文资料_原理图_封装尺寸

MJD122T4G 三极管 ON/安森美 中文资料_原理图_封装尺寸

2024-03-27 11:16:41      点击量: 17

MJD122T4G 晶体管作为一种半导体器件,主要应用于通用放大器和低速开关领域。其功能是实现电流的放大与开关控制。该晶体管的工作原理基于半导体材料的特性,通过控制基极电流,调节集电极和发射极之间的电流。

 

MJD122T4G特点

- 引线成型,适用于塑料套管中的表面贴装应用。

- 可作为 2N6040-2N6045 系列、TIP120-TIP122 系列以及 TIP125-TIP127 系列的表面贴装替代品。

- 采用单片结构,内置基极发射器分流电阻器。

- 具有高直流电流增益:hFE = 2500(典型值)@ IC = 4.0 Adc。

- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 @ 0.125 英寸标准。

- ESD 额定值:

    - 人体模型,3B > 8000 V。

    - 机器模型,C > 400 V。

- 器件前缀为 NJV,适用于汽车和其他有特殊现场和控制变更要求的领域;通过 AEC-Q101 认证,可执行 PPAP。

- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 规范。

 

在实际应用中,MJD122T4G 晶体管广泛应用于各类电子设备。例如,在手机、电脑及其他电子产品中,可用于电源管理、信号放大和逻辑控制等方面。此外,在工业控制系统、汽车电子和通信设备中也起着关键作用。


MJD122T4G中文资料

品牌

onsemi安森美

封装

TO-252-3 (DPAK)

批号

23+

制造商

onsemi

产品种类

达林顿晶体管

RoHS

配置

Single

晶体管极性

NPN

发射极 - 基极电压 VEBO

5 V

集电极基极电压 VCBO

100 V

最大直流电集电极电流

8 A

最大集电极截止电流

10 uA

Pd-功率耗散

20 W

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TO-252-3 (DPAK)

最小工作温度

- 65 C

最大工作温度

+ 150 C

系列

MJD122

集电极连续电流

8 A

直流集电极/Base Gain hfe Min

100, 1000

高度

2.38 mm

长度

6.73 mm

宽度

500 mg

型号

MJD122T4G

MJD122T4G达林顿原理图.jpg

MJD122T4G-封装尺寸.jpg

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