DTC114EET1G 是一种采用 SOT-523 封装的 NPN 双极数字晶体管,它的设计目的是替代单个器件以及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)集成了一个晶体管和一个由两个电阻器(一个串联基极电阻器和一个基极-发射极电阻器)构成的单片偏置网络。BRT 将这些独立的元件集成在一个器件中,从而省去了这些元件。使用 BRT 可以降低系统成本并节省电路板空间。
DTC114EET1G 的功能特点包括:
1. 简化电路设计。
2. 减小电路板空间。
3. 减少元件数量。
4. S 和 NSV 前缀适用于汽车以及其他对特殊现场和控制变更要求的应用;通过 AEC-Q101 认证,可进行 PPAP 生产。
5. 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHSC 标准。
中文参考数据 | |
品牌 | 安森美 |
封装 | SOT-523 |
批号 | 23+ |
制造商 | onsemi |
产品种类 | 双极晶体管 - 预偏置 |
RoHS | 是 |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
典型电阻器比率 | 1 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SC-75-3 |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 35 |
集电极连续电流 | 0.1 A |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
Pd-功率耗散 | 200 mW |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
系列 | DTC114EE |
直流电流增益 hFE 最大值 | 35 |
高度 | 0.75 mm |
长度 | 1.6 mm |
宽度 | 2.510 mg |