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DTC114EET1G中文参数资料_封装尺寸_引脚连接图

DTC114EET1G中文参数资料_封装尺寸_引脚连接图

2024-03-18 11:21:39      点击量: 19

DTC114EET1G 是一种采用 SOT-523 封装的 NPN 双极数字晶体管,它的设计目的是替代单个器件以及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)集成了一个晶体管和一个由两个电阻器(一个串联基极电阻器和一个基极-发射极电阻器)构成的单片偏置网络。BRT 将这些独立的元件集成在一个器件中,从而省去了这些元件。使用 BRT 可以降低系统成本并节省电路板空间。

 

DTC114EET1G 的功能特点包括:

1. 简化电路设计。

2. 减小电路板空间。

3. 减少元件数量。

4. S 和 NSV 前缀适用于汽车以及其他对特殊现场和控制变更要求的应用;通过 AEC-Q101 认证,可进行 PPAP 生产。

5. 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHSC 标准。


中文参考数据

品牌

安森美

封装

SOT-523

批号

23+

制造商

onsemi

产品种类

双极晶体管 - 预偏置

RoHS

配置

Single

晶体管极性

NPN

典型输入电阻器

10 kOhms

典型电阻器比率

1

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

SC-75-3

直流集电极/Base Gain hfe Min

35

集电极连续电流

0.1 A

峰值直流集电极电流

100 mA

Pd-功率耗散

200 mW

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

系列

DTC114EE

直流电流增益 hFE 最大值

35

高度

0.75 mm

长度

1.6 mm

宽度

2.510 mg

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