Nexperia 在 APEC 2024 大会上再次展示了其产品创新，并正式发布了一系列新型 MOSFET，以进一步扩展其分立开关解决方案的范围，以适应多个终端市场的各种应用。这次发布的产品包括专为 PoE、eFuse 和继电器替代产品设计的 100 V 应用专用 MOSFET（ASFET），采用 DFN2020 封装，其体积较之前版本缩小了 60%；以及改进的电磁兼容性（EMC）的 40 V NextPowerS3 MOSFET。

通常情况下，PoE 交换机拥有多达 48 个端口，每个端口需要两个 MOSFET 提供保护。为了满足对小型化器件封装尺寸的需求，Nexperia 推出了采用 2mm x 2mm DFN2020 封装的 100 V PoE ASFET。与之前采用 LFPAK33 封装的版本相比，该解决方案占用的空间减少了 60%。这些 ASFET 的关键功能之一是通过限制浪涌电流来保护 PoE 端口，并能够安全地管理故障情况。为了更好地应对这些情况，Nexperia 将这些器件的安全工作区（SOA）增强了 3 倍，同时 RDS(on) 仅略微增加。除了在 PoE 应用中的广泛使用外，这些 ASFET 还适用于电池管理、Wi-Fi 热点、5G 微基站和闭路电视等应用，可替代智能恒温器中的机械式继电器。

由 MOSFET 开关引起的电磁兼容性（EMC）问题通常会在产品开发周期的后期阶段出现。解决这些问题可能会带来额外的研发成本并延迟市场发布。传统的解决方案包括使用更昂贵、RDS(on) 更低的 MOSFET（以减缓开关速度并吸收过多的电压振荡）或安装外部电容缓冲电路。然而，这些方法的缺点在于会增加元件数量。Nexperia 通过优化其 40 V NextPowerS3 MOSFET，提供了类似使用外部缓冲电路所能实现的 EMC 性能，并提供了更高的效率。这些 MOSFET 采用 LFPAK56 封装，适用于各种应用的开关转换器和电机控制器。

Nexperia MOSFET 营销和产品部总监 Chris Boyce 表示：“通过在 APEC 2024 大会上推出我们的最新分立式 FET 解决方案系列产品，Nexperia 展示了我们如何利用专业的研发知识提供优化的解决方案。新型 100 V PoE ASFET 和 40 V NextPowerS3 MOSFET 的 EMC 性能改进，突显了我们坚定支持工程师克服各种应用挑战的决心。这些创新凸显了 Nexperia 致力于提供高效、紧凑和可靠的解决方案，助力客户在不断发展的市场中取得成功。”