欢迎来到安玛芯城!
立即登录
免费注册
会员中心
我的订单
+86 18128802849
产品分类icon 产品分类
首页
每周特价 每周特价icon
热门产品 热门产品icon
推荐品牌
国产替代
关于我们
商城资讯
ROHM(罗姆)推出超快的100V耐压肖特基势垒二极管

ROHM(罗姆)推出超快的100V耐压肖特基势垒二极管

2024-02-19 09:52:45      点击量: 17

近日,知名半导体制造商ROHM推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。

 

ROHM(罗姆)推出超快的100V耐压肖特基势垒二极管(安玛芯城)

二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD,其VF低于平面结构的SBD,因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品,其trr比平面结构的要差,因此在用于开关应用时存在功率损耗增加的课题。针对这种课题,ROHM推出采用自有的沟槽MOS结构、同时改善了存在权衡关系的VF和IR、并实现了业界超快trr的YQ系列产品。

 

“YQ系列”是继以往支持各种电路应用的4个SBD系列之后推出的新系列产品,也是ROHM首款采用沟槽MOS结构的二极管。该系列利用ROHM自有的结构设计,实现了业界超快的trr(15ns),与同样采用沟槽MOS结构的普通产品相比,trr单项的损耗降低约37%,总开关损耗降低约26%,因此,有助于降低应用产品的功耗。另外,通过采用沟槽MOS结构,与以往采用平面结构的SBD相比,正向施加时的损耗VF*2和反向施加时的损耗IR*3均得到改善。这不仅可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗,还可以降低对于SBD而言最令人担心的热失控风险*4。这些优势使得该系列产品非常适用于容易发热的车载LED前照灯的驱动电路、xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。

 

沟槽mos结构产品与YQ系列产品对比(安玛芯城)


SBD的沟槽MOS结构

 

沟槽MOS结构是在外延层中形成沟槽(沟槽MOS)并用多晶硅填充的结构,这种结构可以缓和电场集中,从而可以降低外延层的电阻率,在正向施加时VF更低。另外,当反向施加时,可以缓和电场集中现象,从而实现更低的IR。前述的“YQ系列”通过采用这种沟槽MOS结构,与以往产品相比,VF改善了约7%,IR改善了约82%。另一方面,在普通沟槽MOS结构中,寄生电容(元器件中的电阻分量)较大,因此trr要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了VF和IR,而且还利用ROHM自有的结构设计,实现了约15ns的业界超快trr。由于可将开关时的损耗降低约26%,因此非常有助于降低应用产品的功耗。

 

应用场景

 

  1. 汽车LED前照灯

  2. xEV用DC-DC转换器

  3. 工业设备电源

  4. 照明

免费申请样品入口
购物车
会员中心
返回顶部