近日，据台湾电子时报报道，存储器模块业者透露，三星电子、美光等存储器大厂计划在今年第一季将DRAM价格上调15%-20%，计划自1月起执行。这一涨价举措旨在刺激客户提前规划未来的使用需求。已有业者透露收到了三星的涨价通知。

业界人士指出，上游原厂涨价的焦点将从NAND Flash转移到DRAM。预计DDR4和DDR5有望成为下一波调涨的重点，以改善企业的运营状况。至于DDR3，由于其产能和需求相对稳定，涨幅预计相对平缓。

行业预期，随着上游原厂推动DRAM价格上涨，多家存储器模块业者纷纷启动备货，供货给OEM厂的合约价有望在二季度全面反映DRAM价格上涨的趋势。

存储芯片市场主要以DRAM和NAND Flash为主，此前NAND Flash价格在2023年下半年一路上涨，而DRAM报价涨幅相对较小。到了2023年12月，DRAM报价仅微幅上涨2%-3%，明显低于3D TLC NAND涨价幅度约为10%。

针对上游原厂计划在一季度启动DRAM涨价行动，存储器模块业者表示并不感到意外。目前市场需求尚未稳定恢复，DRAM报价调涨仍然由上游原厂主导，业界早已有所预期，近几个月已陆续回补低价库存。

对于未来DRAM价格涨幅能否像NAND Wafer那样强劲攀升，还需观察后续市场需求。终端市场仍存在观望氛围，前两个季度的市场表现将至关重要。若主要应用出海口需求能够顺利衔接，存储器前景将更加明朗。

在供给方面，业界指出，2023年第四季度上游供货状况并不紧缺，前提是能够接受原厂提出的价格。价格适中的情况下，原厂都有足够的货源。

在这一背景下，削减产能仍然是原厂的重要保价策略。2023年下半年，韩系DRAM大厂一直在降低DRAM稼动率，同时逐步增加高端制程的产出。以三星为例，2023年第四季度DRAM产出仅占2023年第一季度的七成左右。

据了解，2024年第一季度DRAM整体产能供应仍然偏向谨慎，未来供应商将会继续减产成熟制程，并加大先进制程技术的投入。

总体来看，从行业周期的角度来看，随着大厂稼动控制下存储供需逐渐改善，主流存储价格自2023年第三季度开始持续回暖，2023年第四季度带动利基存储价格触底回升。从去年8月底开始，晶圆端的涨价已经开始传导至模组端。

展望未来，中信证券预测12月份某些产品会因紧缺而提价，尤其是对应下游需求早期复苏的产品（如移动存储）。而对于库存持续去化的下游环节，比如传统服务器内存，其价格涨势可能会相对放缓。随着各原厂不断减产DDR4、行业库存逐渐去化、下游服务器市场的复苏，预计2024年主流DRAM价格有望持续回升。