BSS123是一款场效应晶体管(FET),属于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的一种。作为电子元器件的一员,BSS123在现代电路设计中发挥着重要作用,尤其在低功耗、高频率应用中表现出色。
产品特点:
低阻态: BSS123的主要特点之一是其在导通状态时的低阻态,使其在开关电路中具有出色的导通能力。
低门电压: BSS123通常具有低的门电压阈值,这意味着它可以在较低的电压下实现控制。这对于一些对电源电压有限制的应用非常有利。
小型封装: BSS123通常采用小型表面贴装封装,如SOT-23,使其适用于紧凑的电路设计。
低功耗: 由于其低阻态和低门电压特性,BSS123常用于低功耗应用,如便携设备、传感器网络等。
中文参数
通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
最大连续漏极电流 | 170 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
最大漏源电压 | 100 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
封装类型 | SOT-23 | 晶体管材料 | Si |
安装类型 | 表面贴装 | 最低工作温度 | -55 °C |
引脚数目 | 3 | 高度 | 0.94mm |
最大漏源电阻值 | 6 Ω | 宽度 | 1.3mm |
通道模式 | 增强 | 最高工作温度 | +150 °C |
最大栅阈值电压 | 2.8V | 长度 | 2.9mm |
最大功率耗散 | 225 mW |
引脚图
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