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电源管理芯片设计采用的工艺平台解析

电源管理芯片设计采用的工艺平台解析

2024-04-08 10:46:04      点击量: 11

  目前电源管理芯片在晶圆制造环节所采用的主流工艺主要是0.18um-0.6um制程的BCD工艺。

电源管理芯片设计采用的工艺平台解析.jpg

  由于不同应用领域对产品性能需求的侧重点不同,产品所使用的工艺略有区别,例如高耐压产品需要选择高压工艺、数字电路占比较大的产品需要选择制程较小的工艺、AC/DC产品根据需要可能选择700V超高压工艺等。

  消费电子对输入电压的要求为5V及以下,常用工艺为0.18um-0.35um制程范围内的5VCMOS工艺。穿戴设备、TWS耳机等新兴消费领域及各类电子设备要求低功耗,以实现更低的电能损耗、更长的待机时间。

  网络通讯等对输入电压的要求为12V、24V等,常用工艺为0.18um-0.35um制程范围内的中压BCD工艺。

  工业控制、汽车电子等对输入电压的要求为24V-100V及以上,常用工艺为0.18um-0.6um制程范围内的高压BCD工艺。工业控制等应用领域对电源管理芯片的要求更多地在于稳定性及可靠性,而对静态功耗这一指标敏感度较低。

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