12月11日，Nexperia 宣布，其采用下一代高压GaN HEMT技术的GaN FET器件，采用专有的铜夹CCPAK表面贴装封装，现已面向工业和可再生能源应用的设计者提供。在为高产、高质量的铜夹SMD封装提供两十年经验的基础上，Nexperia自豪地将其革命性的封装方法扩展到了CCPAK中的GaN级联开关。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化镓（GaN）FET，采用CCPAK1212i顶部冷却封装，开启了宽禁带半导体和铜夹封装的新时代。该技术为可再生能源应用（如太阳能和居住用热泵）带来了优势，进一步加强了Nexperia致力于为可持续应用开发最新组件技术的承诺。它还适用于众多工业应用，如伺服驱动器、开关电源（SMPS）、服务器和电信设备。

Nexperia的CCPAK表面贴装封装采用了Nexperia创新的铜夹封装技术，取代了内部焊线。这减少了寄生损耗，优化了电气和热性能，并提高了器件的可靠性。为了在设计中实现最大的灵活性，这些CCPAK GaN FET可提供顶部或底部冷却配置，进一步提高散热性能。

GAN039-650NTB的级联配置使其具有出色的开关和导通性能，其坚固的门极提供了充足的抗噪声裕度。这一特性还通过消除对复杂门极驱动器和控制电路的需求，使应用设计更加简便，可以方便地使用标准硅MOSFET驱动器驱动。Nexperia的GaN技术提高了开关稳定性，并帮助将芯片尺寸缩小约24%。此外，器件的RDS(on)在25°C时仅降至33 mΩ（典型值），具有高阈值电压和低二极管正向电压。

根据Nexperia GaN FET业务的副总裁兼总经理Carlos Castro的说法，“Nexperia认识到工业和可再生能源设备的设计者需要一种在进行功率转换时能够提供出色热效率的高度稳健的开关解决方案。”他表示，“这就是为什么Nexperia决定将其级联GaN FET的卓越开关性能与CCPAK封装的卓越热性能相结合，为客户提供引人注目的解决方案的原因。”

Nexperia首次发布其CCPAK系列，首发产品为顶部冷却的33 mΩ（典型值），650 V GAN039-650NTB，底部冷却型号GAN039-650NBB即将推出。