型号:
2N7002-NXPDatasheet
数量:
93000
厂商:
NXP
批号:
16+
封装:
SOT-23
货期:
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详细信息
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类别

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchMOS??
包装 ?剪切带(CT) ?
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)50pF @ 10V
Vgs(最大值)±30V
FET 功能-
功率耗散(最大值)830mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)5 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装TO-236AB(SOT23)
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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